IC設計服務廠創意電子（3443）宣布推出自家設計採用台積電16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程技術的DDR4矽智財（IP），
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，並通過晶片驗證，
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，也是創意第一個16奈米IP 。
這也是創意率先卡位16奈米FinFET先進製程，
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，同時提供下世代的DDR 4 IP，
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，預料與提供非揮發性記憶體（NVM）的力旺互別苗頭，
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，激勵22日股價大漲，
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，收90.8元、上漲4.3元，漲幅近5%。
創意指出，創意16奈米FinFET DDR4 IP的成果於上月22日台積電北美技術研討會上首度亮相。其中16奈米DDR4實體層（PHY）IP運作速度達每秒3.2Gb，比DDR3的IP提高50%，且同一速度的功耗降低25%。
創意表示，16奈米DDR4 PHY IP與DDR4 DRAM連接時，同一速度下，可比同一規格的28奈米DDR3 IP降低40%核心功耗。
創意總經理賴俊豪說，16奈米FinFET DDR4 IP代表真正設計的突破。這是目前創意採用台積電16FF製程技術最快速的IP ，也代表先進技術設計人員能夠儘快展開新一代裝置設計工作的絕佳良機，未來這項IP，可運用於各種高速網路架構和伺服器領域，為創意開創新的合作契機。，